คุณลักษณะไฟตรงของซิลิคอนไดโอดที่มีการผสานโครงสร้าง PIN และ SCHOTTKY

DC characterization of merged pin schottky silicon diodes.

Name: สุกฤต วัฒนศรี

Abstract: วิทยานิพนธ์ฉบับนี้ได้นำเสนอการพัฒนาโครงสร้างไดโอดกำลังที่มีความต้องการอัตราเร็วสวิทซึ่งที่ดี สามารถทนแรงดันย้อนกลับที่สูง และมีอัตราการกินพลังงานที่ตํ่า แนวทางหนึ่งที่จะพัฒนาคือ การผสานโครงสร้าง PIN และ Schottkyเข้าด้วยกัน เป็นโครงสร้าง Merged PIN Schottkyหรือ MPS บทความนี้ได้สร้างไดโอดกำลังทั้งชนิด PIN , Schottkyและ MPS เพื่อศึกษาคุณลักษณะไฟตรง ของ MPS และศึกษาผลของสัดส่วนของการผสานโครงสร้าง PIN และ Schottkyเมื่อพิจารณาที่ ความหนาแน่นกระแส 10 A/cm2จะพบว่า MPS จะมีค่าแรงดันตกคร่อมไปข้างหน้า 0.75 V ซึ่งน้อย กว่า PIN และ Schottkyที่มีค่า 0.83 และ 1.35 ตามลำดับ และในด้านการนำกระแสย้อนกลับ เมื่อพิจารณาที่แรงดันย้อนกลับ 10 V พบว่า MPS มีค่ากระแสรั่วไหลย้อนกลับ 5.03xl0"7 A/cm2ซึ่ง กระแสรั่วไหลย้อนกลับมีค่าน้อยใกล้เคียงกับของ PIN โดยที่ค่ากระแสรั่วไหลย้อนกลับของ PIN และ Schottkyมีค่า 1.75xl0-8 , 3.95xl0-4 A/cm2ตามลำดับ และเมื่อทดลองที่อุณหภูมิ 27, 57, 87, 117 และ 147 °c ตามลำดับ อุณหภูมิที่เปลี่ยนแปลงไปไม่มีผลกระทบต่อการทำงานของโครงสร้าง ทั้งสาม จากผลการทดลองพบว่า โครงสร้าง MPS มีคุณลักษณะทางไฟตรงที่ดีทางด้านทนแรงดันเบรกดาวน์ของ PIN และสวิทชิ่งที่ดีของ Schottkyสามารถนำไปประยุกต์ใช้เป็นไดโอดกำลังที่ดีได้

สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สำนักหอสมุดกลาง

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: Lifelong@kmitl.ac.th

Name: วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง

Role: อาจารย์ผู้ควบคุมวิทยานิพนธ์.

Email : ktwisut@kmitl.ac.th

Created: 2557

Modified: 2558-11-15

Issued: 2558-11-15

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

CallNumber: วพ. ส738ค 2557

tha

DegreeName: วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต (วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์)

Level: ปริญญาโท

Descipline: วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์

Grantor: สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง

©copyrights สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	Fulltext Sukrit Wattanasri.pdf	14.14 MB	3	2018-06-06 06:26:58

ใช้เวลา

0.016451 วินาที