การศึกษากระแสรั่วไหลที่บริเวณพื้นที่หน้าตัดและเส้นรอบรูปของไดโอดกำลัง

Study of leakage current at effective area and perimeter on power diode.

Name: เอกลักษณ์ แฉล้มนงนุช

ThaSH: กระแสไฟฟ้ารั่ว.

ThaSH: เรคติไฟเออร์.

ThaSH: วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์ -- วิทยานิพนธ์.

ThaSH: สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. -- สาขาวิชาวิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์ -- วิทยานิพนธ์.

Abstract: วิทยานิพนธ์ฉบับนี้ นำเสนอผลการศึกษาและวิธีการวิเคราะห์แยกแยะกระแสรั่วไหลย้อนกลับ ซึ่งถือได้ว่าเป็นปัญหาสำคัญในการลดทอนคุณสมบัติทางฟ้าและประสิทธิภาพของไดโอดกำลัง ผู้วิจัยจึงได้เสนอกระบวนการวิเคราะห์ค่าตัวแปรที่ก่อให้เกิดกระแสรั่วในซิลิคอนไดโอดกำลัง ซึ่งทำการทดสอบไดโอดกำลังรูปร่างสี่เหลี่ยมจัตุรัสที่มีความยาวรอบรูปและพื้นที่หน้าตัดของตัวไดโอด 3 ลักษณะคือ 0.58, 0.98, 1.72 เซนติเมตรและ 0.022, 0.062, 0.192 ตารางเซนติเมตร ซึ่งสามารถคิดเป็นอัตราส่วนระหว่างความยาวรอบรูปต่อพื้นที่หน้าตัด (P/A) ที่มีค่า 26.36 15.81 และ 9.01 ตามลำดับ โดยทำการวัดและเก็บข้อมูลทั้งคุณลักษณะของกระแส-แรงดันไฟฟ้า และความจุไฟฟ้า-แรงดันไฟฟ้า จากการทดสอบพบว่ากระแสรั่วย้อนกลับเพิ่มขึ้นเมื่ออัตราส่วนระหว่างความยาวรอบรูปกับพื้นที่หน้าตัดเพิ่มขึ้น ซึ่งเมื่ออธิบายจากกลไกทางฟิสิกส์และทฤษฎีสมบัติของสารกึ่งตัวนาซิลิคอนแล้วทำให้สามารถวิเคราะห์ได้ว่า กระแสรั่วไหลส่วนหนึ่งนั้นเกิดที่บริเวณขอบของตัวไดโอดกำลัง เนื่องจากการขยายตัวออกด้านข้างหรือขอบของบริเวณเขตปลอดพาหะ จึงทำให้เกิดกระแสขึ้นในบริเวณเขตปลอดพาหะนั้น นอกจากนี้ยังพบว่าไดโอดกำลังที่มีขนาดเล็กจะมีอัตราส่วน P/A มากกว่าไดโอดกำลังที่มีขนาดใหญ่ หรืออาจกล่าวได้ว่าในไดโอดกำลังที่มีขนาดเล็กนั้น มีแนวโน้มที่จะเกิดกระแสรั่วไหลที่บริเวณขอบมากกว่าไดโอดกำลังที่มีขนาดใหญ่นั่นเอง ซึ่งถือได้ว่าเป็นข้อมูลสำคัญที่สามารถใช้เป็นแนวทางในการออกแบบไดโอดกำลังต่อไปในอนาคต.

สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สำนักหอสมุดกลาง

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: Lifelong@kmitl.ac.th

Name: วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง

Role: อาจารย์ผู้ควบคุมวิทยานิพนธ์

Email : ktwisut@kmitl.ac.th

Created: 2557

Modified: 2558-08-10

Issued: 2558-08-10

วิทยานิพนธ์/Thesis

application/pdf

CallNumber: วพ. อ881ก 2557

tha

DegreeName: วิศวกรรมศาสตรมหาบัณฑิต (วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์)

Level: ปริญญาโท

Descipline: วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์

Grantor: สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง

©copyrights สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	Fulltext Akkalak Chalamnongnoot.pdf	7.77 MB	27	2021-02-02 14:10:13

ใช้เวลา

0.020441 วินาที