แจ้งเอกสารไม่ครบถ้วน, ไม่ตรงกับชื่อเรื่อง หรือมีข้อผิดพลาดเกี่ยวกับเอกสาร ติดต่อที่นี่ ==>
หากไม่มีอีเมลผู้รับให้กรอก thailis-noc@uni.net.th
หากไม่มีอีเมลผู้รับให้กรอก thailis-noc@uni.net.th
สันติพงศ์ เตชนราวงศ์. การออกแบบและกระบวนการสร้างอุปกรณ์เอ็นพีที-ไอจีบีทีโครงสร้างเกตแบบขุด. ปริญญาโท(วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์). สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สำนักหอสมุดกลาง. : สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง, 2557.
การออกแบบและกระบวนการสร้างอุปกรณ์เอ็นพีที-ไอจีบีทีโครงสร้างเกตแบบขุด
The design and fabrication to NPT-IGBT with trench gate structure.
Name: สันติพงศ์ เตชนราวงศ์
ThaSH:
ฉนวนไฟฟ้า.
ThaSH:
วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์
-- วิทยานิพนธ์.
Abstract:
วิทยานิพนธ์ฉบับนี้นำเสนอการออกแบบและกระบวนการสร้างอุปกรณ์ไอจีบีทีชนิดเอ็นพีที โครงสร้างเกตแบบขุด (NPT-TIGBT) พร้อมทั้งผลการวัดคุณสมบัติทางไฟฟ้าของอุปกรณ์ จากผลการ ทดลองพบว่าสามารถสร้าง NPT-TIGBT ได้สำเร็จ โดยมีค่าแรงดันขีดเริ่ม VGE ประมาณ 9V และ VCE ประมาณ 0.5 V ซึ่งเราสามารถลดค่า VGE ให้น้อยลงได้โดยการปรับปรุงโครงสร้างในส่วนชองมอสเฟต ได้แก่การลดความหนาของเกตออกไซด์ การลดความเข้มข้นสารเจือของชั้น P-base และการลดความ เข้มข้นสารของชั้น poly-gate ค่ากระแส lCE ต่อค่าแรงดัน VCE เปลี่ยนแปลงตามค่า VGE ซึ่งเป็นคุณสมบัติ เบื้องต้นของทรานซิสเตอร์ชนิด IGBT และสามารถทนแรงดันพังทลายในสภาวะปิดกั้นไปหน้า (Forward Blocking State) ได้ประมาณ 800V การสร้าง IGBT ในครั้งนี้เป็นครั้งแรกในการสร้างอุปกรณ์สารกึ่ง ตัวนำโดยใช้เทคโนโลยีโครงสร้างเกตแบบขุด (Trench gate) ดังนั้นวิทยานิพนธ์ฉบับนี้จะเป็นพื้นฐานใน การศึกษาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เกตแบบขุด เพื่อให้มีการพัฒนาการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังใน ประเทศไทยและต่างประเทศต่อไปการออกแบบและกระบวนการสร้างอุปกรณ์เอ็นพีที-ไอจีบีฑีโครงสร้าง เกตแบบขุด เพื่อให้มีการพัฒนาการผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังในประเทศไทยและต่างประเทศต่อไป
สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สำนักหอสมุดกลาง
Address:
กรุงเทพมหานคร
Email:
Lifelong@kmitl.ac.th
Name: วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง
Role:
อาจารย์ผู้ควบคุมวิทยานิพนธ์
Email :
ktwisut@kmitl.ac.th
Created:
2557
Modified:
2558-11-11
Issued:
2558-06-08
วิทยานิพนธ์/Thesis
application/pdf
CallNumber:
วพ. ส583ก 2557
tha
Level: ปริญญาโท
Descipline: วิศวกรรมไมโครอิเล็กทรอนิกส์
©copyrights สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง
RightsAccess:
ใช้เวลา
0.017642 วินาที
สันติพงศ์ เตชนราวงศ์
| Title | Contributor | Type |
|---|---|---|
| การออกแบบและกระบวนการสร้างอุปกรณ์เอ็นพีที-ไอจีบีทีโครงสร้างเกตแบบขุด
สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง สันติพงศ์ เตชนราวงศ์ | วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง | วิทยานิพนธ์/Thesis |
วิสุทธิ์ ฐิติรุ่งเรือง