ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัย

Graded band gap gaAlAs/GaAs photodioes

Name: ชุมพล อันตรเสน

Organization : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า

Name: สมชัย รัตนธรรมพันธ์

Organization : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า

Name: ศุภโชค ไทยน้อย

Organization : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า

ThaSH: ไดโอด

ThaSH: สารกึ่งตัวนำ

ThaSH: โฟโตไดโอด

Abstract: ในงานวิจัยชิ้นนี้ได้เสนอวิธีการผลิตโฟโตไดโอดหัวต่อต่างชนิดของ GaAIAs/GaAs โดยเทคโนโลยีเอพิแทกซีในสถานะของเหลว ทำการสร้างชั้นรับแสงชนิดที่มีช่องว่างแถบพลังงานคงที่ที่ 1.674 eV ของ Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As และมีค่าคงที่ที่ 1.942 eV ของ Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As และชนิดที่มีช่องว่างแถบพลังงานแบบลาดจาก 1.942 eV ถึง 1.55 eV ของ Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As/Ga[subscript 0.7]Al[subscript 0.3]As/Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As/Ga[subscript 0.9]Al[subscript 0.1]As ชั้นรับแสงที่ทำด้วย Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As และ Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As จะไม่ดูดกลืนแสงที่มีพลังงานต่ำกว่าช่องว่างแถบพลังงานของมัน ทำให้มีผลตอบสนองทางแสงอยู่ในช่วง ~725 nm ถึง ~875 nm และ ~655 nm ถึง ~875 nm ตามลำดับ ในขณะที่โฟโตไดโอดที่มีช่องว่างแถบพลังงานของชั้นรับแสงแบบลาด แม้จะเกิดการดูดกลืนแสงในชั้นรับแสงจาก ~1.924 eV ถึง ~1.55 eV แต่กลับมีผลตอบสนองทางแสงจาก ~650 nm ถึง ~870 nm คล้ายคลึงกับผลตอบสนองทางแสงของโฟโตไดโอดที่มีชั้นรับแสงเป็น Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As เมื่อเปรียบเทียบกับผลการคำนวณทางทฤษฎีสามารถสรุปได้ว่าโฟโตไดโอดที่ชั้นรับแสงมีช่องว่างแถบพลังงานแบบลาด มีสนามไฟฟ้าในชั้นรับแสงที่ช่วยพัดพาพาหะที่เกิดในช่วง ~650 nm ถึง ~800 nm ให้ข้ามหัวต่อได้ ดังนั้นจึงเกิดกระแสทางแสงขึ้นในช่วงความยาวคลื่นนี้

Abstract: GaAlAs/GaAs Heterojunction Photodiodes have been fabricated by Liquid Phase Epitaxy Technology. Constant band gap of Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As (1.674 eV) and Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As (1.924 eV) and graded band gap of Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As (1.924 eV)/Ga[subscript 0.7]Al[subscript 0.3]As (1.8 eV)/Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As (1.674 eV)/Ga[subscript 0.9]Al[subscript 0.1]As (1.55 eV) multilayers have been realized as the top layers of photodiodes. The surface layers of G Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As and Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As will not absorb light of energy smaller than their band gap energy thus the spectral response occur from ~725 nm to ~875 nm and from ~655 nm to ~875 nm respectively. In the contrary, although Graded band gap GaAlAs top layer photodiode can absorb the light energy between 1.924 to 1.55 eV., the spectral response can be measured from ~650 nm to ~870 nm, similar to that of G Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As As top layer photodiode. By comparison with the theoretical calculation, we can conclude that the built-in electric field in the lop layer drift the generated carriers through the junction, therefore the photocurrent can be detected in this spectral range.

จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

Address: กรุงเทพมหานคร

Email: cuir@car.chula.ac.th

Name: ทุนวิจัยกองทุนรัชดาภิเษกสมโภช

Created: 2543

Modified: 2551-10-13

Issued: 2551-10-12

งานวิจัย/Research report

application/pdf

CallNumber: วศ 15 010552

tha

©copyrights จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

ลำดับที่.	ชื่อแฟ้มข้อมูล	ขนาดแฟ้มข้อมูล	จำนวนเข้าถึง	วัน-เวลาเข้าถึงล่าสุด
1	choompol_an.pdf	3.93 MB	62	2023-01-02 09:16:41

ใช้เวลา

0.029326 วินาที